Teake Zuidema
Yu-ming Lin en Phaedon Avoris van IBM introduceerden in februari 2010 een transistor van grafeen.
Inmiddels hebben ze deze aanzienlijk verbeterd en bovendien een nieuwe methode ontwikkeld om ze kleiner, sneller en massaler te produceren. De huidige 40 nm-prototypen hebben een kloksnelheid van 155 GHz.
Â
IBM maakt nu grafeentransistoren door het grafeen aan te brengen op siliciumwafers die zijn gecoat met een superdun laagje diamantachtig koolstof. Hiermee voorkomt men dat het siliciumdioxide fouten veroorzaakt in het grafeenraster. Dit procédé kan volgens IBM worden toegepast met apparatuur die reeds gebruikt wordt in de chipproductie waardoor de commerciële toepassing van deze transistors in (analoge) high-performance RF-chips een stap dichterbij is gekomen. De nieuwe grafeentransistors zijn ook zeer stabiel bij lage temperaturen.
